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東莞市鼎偉新材料有限公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn):鎳釩合金靶、高純鉻靶、鈦鋁靶、鉻鋁靶、鎳鉻合金靶、鎢鈦合金靶材等;公司先后研發(fā)的蒸發(fā)材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應用到國內外眾多知名電子、太陽(yáng)能企業(yè)當中,以較高的性?xún)r(jià)比,成功發(fā)替代了國外進(jìn)口產(chǎn)品,頗受用戶(hù)好評。

昆明氮化鋁靶材電話(huà) 氮化鈮靶材 規格多樣
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產(chǎn)品描述

產(chǎn)地廣東 品牌鼎偉新材料 貨號陶瓷靶材 品名氮化物靶材 純度99.9%
對于GaN材料,長(cháng)期以來(lái)由于襯底單晶沒(méi)有解決,異質(zhì)外延缺陷密度相當高,但是器件水平已可實(shí)用化。1994年日亞化學(xué)所制成1200mcd的 LED,1995年又制成Zcd藍光(450nmLED),綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個(gè)采用寬禁帶氮化物材料開(kāi)發(fā)LED的 7年規劃,其目標是到2005年研制密封在熒光管內、并能發(fā)出白色光的高能量紫外光LED,這種白色LED的功耗僅為的1/8,是熒光燈的1/2, 其壽命是傳統熒光燈的50倍~100倍。這GaN材料的研制工作已取相當成功,并進(jìn)入了實(shí)用化階段
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電學(xué)特性
GaN的電學(xué)特性是影響器件的主要因素。未有意摻雜的GaN在各種情況下都呈n型,的樣品的電子濃度約為4×1016/cm3。一般情況下所制備的P型樣品,都是高補償的。
很多研究小組都從事過(guò)這方面的研究工作,其中中村報道了GaN遷移率數據在室溫和液氮溫度別為μn=600cm2/v·s和μn= 1500cm2/v·s,相應的載流子濃度為n=4×1016/cm3和n=8×1015/cm3。近年報道的MOCVD沉積GaN層的電子濃度數值為4 ×1016/cm3、<1016/cm3;等離子激活MBE的結果為8×103/cm3、<1017/cm3。
未摻雜載流子濃度可控制在1014~1020/cm3范圍。另外,通過(guò)P型摻雜工藝和Mg的低能電子束輻照或熱退火處理,已能將摻雜濃度控制在1011~1020/cm3范圍。
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【制備或來(lái)源】可由鈦和氮在1200℃直接反應制得。涂層可由四氯化鈦、氮氣、氫氣混合氣體通過(guò)氣相沉積法形成。二氮化二鈦由金屬鈦在900~1000℃的氮或氨中加熱而得。四氮三鈦由四氯化鈦在1000℃的氨中加熱而得
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在探測器方面,已研制出GaN紫外探測器,波長(cháng)為369nm,其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、預警等方面有重要應用。
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