因為GaN是寬禁帶半導體，極性太大，則較難以通過(guò)高摻雜來(lái)獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸，這是GaN器件制造中的一個(gè)難題，故GaN器件性能的好壞往往與歐姆接觸的制作結果有關(guān)?，F在比較好的一種解決辦法就是采用異質(zhì)結，首先讓禁帶寬度逐漸過(guò)渡到較小一些，然后再采用高摻雜來(lái)實(shí)現歐姆接觸，但這種工藝較復雜?？傊?，歐姆接觸是GaN器件制造中需要很好解決的一個(gè)主要問(wèn)題。

AlN可穩定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料?？谷廴诮饘偾治g的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望?；壉砻娴牡X涂層，能保護它在退火時(shí)免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼轉變?yōu)榱⒎降鸬拇呋瘎?。室溫下與水緩慢反應.可由在氨或氮氣氛中800~1000℃合成，產(chǎn)物為白色到灰藍色粉末?；蛴葾l2O3-C-N2體系在1600~1750℃反應合成，產(chǎn)物為灰白色粉末?；蚵然X與氨經(jīng)氣相反應制得.涂層可由AlCl3-NH3體系通過(guò)氣相沉積法合成

氮化鋁靶材，共價(jià)鍵化合物，是原子晶體，屬類(lèi)金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結構，無(wú)毒，呈白色或灰白色

TiN有著(zhù)誘人的金、熔點(diǎn)高、硬度大、化學(xué)穩定性好、與金屬的潤濕小的結構材料、并具有較高的導電性和超導性，可應用于高溫結構材料和超導材料
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